Общие характеристики
- Тип памяти DDR3
- Форм-фактор DIMM 240-контактный
- Тактовая частота 1600 МГц
- Пропускная способность 12800 МБ/с
- Объем 1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC нет
- Поддержка XMP нет
- Буферизованная (Registered) нет
- Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
- CAS Latency (CL) 11
- RAS to CAS Delay (tRCD) 11
- Row Precharge Delay (tRP) 11
- Activate to Precharge Delay (tRAS) 28
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля 8, односторонняя упаковка
- Напряжение питания 1.5 В
Уважаемые покупатели! Уточняйте важные для Вас параметры и характеристики при выборе
и заказе товаров, так как производители оставляют за собой право изменять внешний вид,
характеристики и комплектацию товара, предварительно не уведомляя продавцов и потребителей.
Мы очень надеемся на Ваше понимание и заранее приносим свои глубочайшие извинения за возможные
неточности в описании и фотографиях товара.
